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1SS356TW11

1SS356TW11

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Numéro de pièce 1SS356TW11
N ° de pièce PNEDA 1SS356TW11
Fabricant Rohm Semiconductor
Description RF DIODE STANDARD 35V 200MW UMD2
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 6 894
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1SS356TW11 Ressources

Marque Rohm Semiconductor
Fab. Numéro d'article1SS356TW11
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursDiodes - RF

1SS356TW11 Spécifications

FabricantRohm Semiconductor
Série-
Type de diodeStandard - Single
Tension - Inversion de crête (Max)35V
Courant - Max100mA
Capacité @ Vr, F1.2pF @ 6V, 1MHz
Résistance @ If, F900mOhm @ 2mA, 100MHz
Dissipation de puissance (max)200mW
Température de fonctionnement125°C (TJ)
Paquet / CaisseSC-90, SOD-323F
Package de périphérique fournisseurUMD2

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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1A

Capacité @ Vr, F

0.375pF @ 5V, 1MHz

Résistance @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Broadcom Limited

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Type de diode

Schottky - 3 Independent

Tension - Inversion de crête (Max)

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Courant - Max

1A

Capacité @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

Résistance @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

*

Type de diode

-

Tension - Inversion de crête (Max)

-

Courant - Max

-

Capacité @ Vr, F

-

Résistance @ If, F

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

BA89202VH6327XTSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

-

Type de diode

Standard - Single

Tension - Inversion de crête (Max)

35V

Courant - Max

100mA

Capacité @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

Résistance @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Paquet / Caisse

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Type de diode

PIN - Single

Tension - Inversion de crête (Max)

100V

Courant - Max

1A

Capacité @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

Résistance @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Certificates

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