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2N6107G

2N6107G

Pour référence seulement

Numéro de pièce 2N6107G
N ° de pièce PNEDA 2N6107G
Fabricant ON Semiconductor
Description TRANS PNP 70V 7A TO220AB
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 91 146
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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2N6107G Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'article2N6107G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fiche technique
2N6107G, 2N6107G Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 246,38 KB)
PDF2N6288 Fiche technique Couverture
2N6288 Fiche technique Page 2 2N6288 Fiche technique Page 3 2N6288 Fiche technique Page 4 2N6288 Fiche technique Page 5 2N6288 Fiche technique Page 6

2N6107G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)7A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)70V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 3A, 7A
Courant - Coupure du collecteur (max)1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 2A, 4V
Puissance - Max40W
Fréquence - Transition10MHz
Température de fonctionnement-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / CaisseTO-220-3
Package de périphérique fournisseurTO-220AB

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ON Semiconductor

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Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

300V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Puissance - Max

1W

Fréquence - Transition

50MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Package de périphérique fournisseur

TO-92-3

BC 808-40W E6327

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

500mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

25V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Puissance - Max

250mW

Fréquence - Transition

200MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SC-70, SOT-323

Package de périphérique fournisseur

PG-SOT323-3

JANTX2N1486

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Fabricant

Microsemi Corporation

Série

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Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

3A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

55V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 40mA, 750mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

15µA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 750mA, 4V

Puissance - Max

1.75W

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-233AA, TO-8-3 Metal Can

Package de périphérique fournisseur

TO-8

KSC2001OBU

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

700mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

25V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 70mA, 700mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

Puissance - Max

600mW

Fréquence - Transition

170MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package de périphérique fournisseur

TO-92-3

BC368_J35Z

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

2A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

20V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Courant - Coupure du collecteur (max)

10µA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Puissance - Max

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Fréquence - Transition

45MHz

Température de fonctionnement

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