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2SK3746

2SK3746

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Numéro de pièce 2SK3746
N ° de pièce PNEDA 2SK3746
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 6 552
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Livraison estimée sept. 29 - oct. 4 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

2SK3746 Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'article2SK3746
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
2SK3746, 2SK3746 Fiche technique (Nombre total de pages: 7, Taille: 236,3 KB)
PDF2SK3746 Fiche technique Couverture
2SK3746 Fiche technique Page 2 2SK3746 Fiche technique Page 3 2SK3746 Fiche technique Page 4 2SK3746 Fiche technique Page 5 2SK3746 Fiche technique Page 6 2SK3746 Fiche technique Page 7

2SK3746 Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)1500V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C2A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs37.5nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3PB
Paquet / CaisseTO-3P-3, SC-65-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3W (Ta), 74W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D²PAK (TO-263)

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIPC69SN60C3X2SA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

*

Type FET

-

Technologie

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Package de périphérique fournisseur

-

Paquet / Caisse

-

Fabricant

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

110V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

31.2W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220F

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

FDMS86540

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

20A (Ta), 50A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6435pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-PQFN (5x6)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

IRF9410TRPBF

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

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