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7134LA35CB

7134LA35CB

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Numéro de pièce 7134LA35CB
N ° de pièce PNEDA 7134LA35CB
Description IC SRAM 32K PARALLEL SB48
Fabricant IDT, Integrated Device Technology
Prix unitaire
1 ---------- $3 632,6662
50 ---------- $3 462,3850
100 ---------- $3 292,1038
200 ---------- $3 121,8226
400 ---------- $2 979,9215
500 ---------- $2 838,0205
En stock 56
Entrepôts Shipped from Hong Kong SAR
Livraison estimée juin 2 - juin 7 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

7134LA35CB Ressources

Marque IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'article7134LA35CB
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire

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7134LA35CB Spécifications

FabricantIDT, Integrated Device Technology Inc
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille de la mémoire32Kb (4K x 8)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge-
Temps de cycle d'écriture - Mot, page35ns
Temps d'accès35ns
Tension - Alimentation4.5V ~ 5.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montageThrough Hole
Paquet / Caisse48-DIP (0.600", 15.24mm)
Package de périphérique fournisseur48-SIDE BRAZED

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Micron Technology Inc.

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

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Technologie

FLASH - NAND

Taille de la mémoire

4Gb (4G x 1)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.95V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-UDFN

Package de périphérique fournisseur

8-U-PDFN (8x6)

CY7C1620KV18-333BZXI

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Taille de la mémoire

144Mb (4M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

333MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

2Kb (256 x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

900ns

Tension - Alimentation

1.5V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-20°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

8-MSOP

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Série

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Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Taille de la mémoire

12Gb (384M x 32)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

400MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.14V ~ 1.3V

Température de fonctionnement

-30°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D

Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

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Taille de la mémoire

32Gb (1G x 32)

Interface mémoire

-

Fréquence d'horloge

1866MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.1V

Température de fonctionnement

-30°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

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