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AOT416

AOT416

Pour référence seulement

Numéro de pièce AOT416
N ° de pièce PNEDA AOT416
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 42A TO-220
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 4 248
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Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

AOT416 Ressources

Marque Alpha & Omega Semiconductor
Fab. Numéro d'articleAOT416
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

AOT416 Spécifications

FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SérieSDMOS™
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)100V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C4.7A (Ta), 42A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1450pF @ 50V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.92W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220
Paquet / CaisseTO-220-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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PSMN7R5-30YLDX

Nexperia

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

51A (Tj)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

655pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

34W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Paquet / Caisse

SC-100, SOT-669

STW11NM80

STMicroelectronics

Fabricant

STMicroelectronics

Série

MDmesh™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

800V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247-3

Paquet / Caisse

TO-247-3

DMPH6050SK3-13

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.2A (Ta), 23.6A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1377pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.9W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON4705L

Alpha & Omega Semiconductor

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

4A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

745pF @ 10V

Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max)

1.7W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-DFN (3x2)

Paquet / Caisse

8-SMD, Flat Lead

FDA16N50LDTU

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

500V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

16.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

205W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-3PN (L-Forming)

Paquet / Caisse

TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)

Certificates

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