AS4C256M16D3B-12BIN


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Numéro de pièce | AS4C256M16D3B-12BIN |
N ° de pièce PNEDA | AS4C256M16D3B-12BIN |
Description | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA |
Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
Prix unitaire | Demander un devis |
En stock | 17 004 |
Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
Livraison estimée | sept. 28 - oct. 3 (Choisissez la livraison accélérée) |
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AS4C256M16D3B-12BIN Ressources
Marque | Alliance Memory, Inc. |
ECAD Module |
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Fab. Numéro d'article | AS4C256M16D3B-12BIN |
Catégorie | Semi-conducteurs › CI de mémoire › Mémoire |
Fiche technique |
AS4C256M16D3B-12BIN, AS4C256M16D3B-12BIN Fiche technique
(Nombre total de pages: 41, Taille: 1 918,17 KB)
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AS4C256M16D3B-12BIN Spécifications
Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
Série | - |
Type de mémoire | Volatile |
Format de la mémoire | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille de la mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Temps de cycle d'écriture - Mot, page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Caisse | 96-TFBGA |
Package de périphérique fournisseur | 96-FBGA (13.5x9) |
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