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AS4C256M16D3B-12BIN

AS4C256M16D3B-12BIN AS4C256M16D3B-12BIN

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Numéro de pièce AS4C256M16D3B-12BIN
N ° de pièce PNEDA AS4C256M16D3B-12BIN
Description IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Fabricant Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3B-12BIN Ressources

Marque Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleAS4C256M16D3B-12BIN
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
AS4C256M16D3B-12BIN, AS4C256M16D3B-12BIN Fiche technique (Nombre total de pages: 41, Taille: 1 918,17 KB)
PDFAS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Couverture
AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 2 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 3 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 4 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 5 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 6 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 7 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 8 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 9 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 10 AS4C256M16D3B-12BINTR Fiche technique Page 11

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AS4C256M16D3B-12BIN Spécifications

FabricantAlliance Memory, Inc.
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Taille de la mémoire4Gb (256M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge800MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page15ns
Temps d'accès20ns
Tension - Alimentation1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse96-TFBGA
Package de périphérique fournisseur96-FBGA (13.5x9)

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Série

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

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EEPROM

Taille de la mémoire

8Kb (1K x 8)

Interface mémoire

Single Wire

Fréquence d'horloge

100kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-MSOP

CY7C1318CV18-278BZXC

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Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Taille de la mémoire

18Mb (1M x 18)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

278MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

165-LBGA

Package de périphérique fournisseur

165-FBGA (13x15)

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Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

2MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

10ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

MT29F32G08CBADAWP-M:D

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Fabricant

Micron Technology Inc.

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Taille de la mémoire

32Gb (4G x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

48-TSOP I

AT49BV002AN-70TU

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

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Taille de la mémoire

2Mb (256K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

50µs

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

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32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

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