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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Pour référence seulement

Numéro de pièce AS4C8M16SA-6TIN
N ° de pièce PNEDA AS4C8M16SA-6TIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Description IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 49 008
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16SA-6TIN Ressources

Marque Alliance Memory, Inc.
Fab. Numéro d'articleAS4C8M16SA-6TIN
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
AS4C8M16SA-6TIN, AS4C8M16SA-6TIN Fiche technique (Nombre total de pages: 54, Taille: 1 189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Couverture
AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 2 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 3 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 4 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 5 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 6 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 7 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 8 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 9 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 10 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 11

AS4C8M16SA-6TIN Spécifications

FabricantAlliance Memory, Inc.
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireDRAM
TechnologieSDRAM
Taille de la mémoire128Mb (8M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge166MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page12ns
Temps d'accès5ns
Tension - Alimentation3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur54-TSOP II

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

NVSRAM

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Taille de la mémoire

256b (16 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

1MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

CY62256VNLL-70ZXC

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Fabricant

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Série

MoBL®

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

70ns

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Package de périphérique fournisseur

28-TSOP I

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Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

2Kb (256 x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

900ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Package de périphérique fournisseur

8-PDIP

STK14D88-NF35ITR

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

35ns

Temps d'accès

35ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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Type de mémoire

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-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

45ns

Temps d'accès

45ns

Tension - Alimentation

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Température de fonctionnement

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Type de montage

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