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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

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Numéro de pièce AS4C8M16SA-6TIN
N ° de pièce PNEDA AS4C8M16SA-6TIN
Description IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Fabricant Alliance Memory, Inc.
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En stock 49 008
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Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16SA-6TIN Ressources

Marque Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleAS4C8M16SA-6TIN
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
AS4C8M16SA-6TIN, AS4C8M16SA-6TIN Fiche technique (Nombre total de pages: 54, Taille: 1 189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Couverture
AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 2 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 3 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 4 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 5 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 6 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 7 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 8 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 9 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 10 AS4C8M16SA-6BINTR Fiche technique Page 11

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AS4C8M16SA-6TIN Spécifications

FabricantAlliance Memory, Inc.
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireDRAM
TechnologieSDRAM
Taille de la mémoire128Mb (8M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge166MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page12ns
Temps d'accès5ns
Tension - Alimentation3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur54-TSOP II

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Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

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Type de mémoire

-

Format de la mémoire

-

Technologie

-

Taille de la mémoire

-

Interface mémoire

-

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

7133LA90GB

IDT, Integrated Device Technology

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Taille de la mémoire

32Kb (2K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

90ns

Temps d'accès

90ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-55°C ~ 125°C (TA)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

68-BPGA

Package de périphérique fournisseur

68-PGA (29.46x29.46)

CY14E101Q2A-SXI

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

1Mb (128K x 8)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

40MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

CY62256VNLL-70ZXC

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

MoBL®

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

70ns

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Package de périphérique fournisseur

28-TSOP I

CAT24C44VI

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

256b (16 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

1MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

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