AS4C8M16SA-6TIN
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| Numéro de pièce | AS4C8M16SA-6TIN |
| N ° de pièce PNEDA | AS4C8M16SA-6TIN |
| Description | IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 49 008 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
| Livraison estimée | sept. 28 - oct. 3 (Choisissez la livraison accélérée) |
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AS4C8M16SA-6TIN Ressources
| Marque | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | AS4C8M16SA-6TIN |
| Catégorie | Semi-conducteurs › CI de mémoire › Mémoire |
| Fiche technique |
AS4C8M16SA-6TIN, AS4C8M16SA-6TIN Fiche technique
(Nombre total de pages: 54, Taille: 1 189,41 KB)
  
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AS4C8M16SA-6TIN Spécifications
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Série | - |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128Mb (8M x 16) |
| Interface mémoire | Parallel |
| Fréquence d'horloge | 166MHz |
| Temps de cycle d'écriture - Mot, page | 12ns |
| Temps d'accès | 5ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Caisse | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 54-TSOP II |
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