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AT25640N-10SI-2.7

AT25640N-10SI-2.7

Pour référence seulement

Numéro de pièce AT25640N-10SI-2.7
N ° de pièce PNEDA AT25640N-10SI-2-7
Description IC EEPROM 64K SPI 3MHZ 8SOIC
Fabricant Microchip Technology
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AT25640N-10SI-2.7 Ressources

Marque Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleAT25640N-10SI-2.7
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
AT25640N-10SI-2.7, AT25640N-10SI-2.7 Fiche technique (Nombre total de pages: 21, Taille: 331,55 KB)
PDFAT25320W-10SI-2.7 Fiche technique Couverture
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AT25640N-10SI-2.7 Spécifications

FabricantMicrochip Technology
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireEEPROM
TechnologieEEPROM
Taille de la mémoire64Kb (8K x 8)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge3MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page5ms
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 5.5V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOIC

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Microchip Technology

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

3MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

6ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

S25FL256SDPNFV001

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

FL-S

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

256Mb (32M x 8)

Interface mémoire

SPI - Quad I/O

Fréquence d'horloge

66MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 105°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-WDFN Exposed Pad

Package de périphérique fournisseur

8-WSON (6x8)

IDT71V3558S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Taille de la mémoire

4.5Mb (256K x 18)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

166MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

3.5ns

Tension - Alimentation

3.135V ~ 3.465V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

100-LQFP

Package de périphérique fournisseur

100-TQFP (14x14)

AT29C256-70TC-T

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

10ms

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Package de périphérique fournisseur

28-TSOP

FM25040B-GA1

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

F-RAM™

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Taille de la mémoire

4Kb (512 x 8)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

14MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 125°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

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