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BAS16HT1G

BAS16HT1G

Pour référence seulement

Numéro de pièce BAS16HT1G
N ° de pièce PNEDA BAS16HT1G
Description DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 3 703 146
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BAS16HT1G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleBAS16HT1G
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
BAS16HT1G, BAS16HT1G Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 158,12 KB)
PDFBAS16HT1 Fiche technique Couverture
BAS16HT1 Fiche technique Page 2 BAS16HT1 Fiche technique Page 3 BAS16HT1 Fiche technique Page 4 BAS16HT1 Fiche technique Page 5

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BAS16HT1G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)100V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)200mA (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si1.25V @ 150mA
VitesseSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)6ns
Courant - Fuite inverse @ Vr1µA @ 100V
Capacité @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseSC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseurSOD-323
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

5095A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

990mV @ 4500A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

50mA @ 600V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis Mount

Paquet / Caisse

DO-200AA, A-PUK

Package de périphérique fournisseur

-

Température de fonctionnement - Jonction

-40°C ~ 180°C

VS-10BQ040PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

-

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

40V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

530mV @ 1A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

100µA @ 40V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-214AA, SMB

Package de périphérique fournisseur

SMB

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

RS1JLHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

800mA

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.3V @ 800mA

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

250ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

5µA @ 600V

Capacité @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AB

Package de périphérique fournisseur

Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

RB521SM-30T2R

Rohm Semiconductor

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série

-

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

30V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

200mA

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

470mV @ 200mA

Vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

30µA @ 10V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SC-79, SOD-523

Package de périphérique fournisseur

EMD2

Température de fonctionnement - Jonction

150°C (Max)

1N3213

GeneSiC Semiconductor

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

500V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

15A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.5V @ 15A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

10µA @ 50V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis, Stud Mount

Paquet / Caisse

DO-203AB, DO-5, Stud

Package de périphérique fournisseur

DO-5

Température de fonctionnement - Jonction

-65°C ~ 175°C

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