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BCW61D,215

BCW61D,215

Pour référence seulement

Numéro de pièce BCW61D,215
N ° de pièce PNEDA BCW61D-215
Fabricant Nexperia
Description TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 39 148
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BCW61D Ressources

Marque Nexperia
Fab. Numéro d'articleBCW61D,215
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fiche technique
BCW61D, BCW61D Fiche technique (Nombre total de pages: 7, Taille: 331,48 KB)
PDFBCW61B Fiche technique Couverture
BCW61B Fiche technique Page 2 BCW61B Fiche technique Page 3 BCW61B Fiche technique Page 4 BCW61B Fiche technique Page 5 BCW61B Fiche technique Page 6 BCW61B Fiche technique Page 7

BCW61D Spécifications

FabricantNexperia USA Inc.
SérieAutomotive, AEC-Q101
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)32V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max)20nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce380 @ 2mA, 5V
Puissance - Max250mW
Fréquence - Transition100MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseurTO-236AB

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Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

50mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

11V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

500nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Puissance - Max

200mW

Fréquence - Transition

3.2GHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

SMT3

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ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

600mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

60V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

10nA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Puissance - Max

625mW

Fréquence - Transition

200MHz

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package de périphérique fournisseur

TO-92-3

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

800mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

45V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Puissance - Max

625mW

Fréquence - Transition

210MHz

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Type de transistor

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Courant - Collecteur (Ic) (Max)

150mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 1mA, 6V

Puissance - Max

200mW

Fréquence - Transition

140MHz

Température de fonctionnement

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Type de montage

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Paquet / Caisse

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Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

500mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

45V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

620mV @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Puissance - Max

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Fréquence - Transition

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