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BSS138BK,215

BSS138BK,215 BSS138BK,215

Pour référence seulement

Numéro de pièce BSS138BK,215
N ° de pièce PNEDA BSS138BK-215
Description MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Fabricant Nexperia
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En stock 2 222 274
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Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

BSS138BK Ressources

Marque Nexperia
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleBSS138BK,215
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
BSS138BK, BSS138BK Fiche technique (Nombre total de pages: 16, Taille: 1 581,06 KB)
PDFBSS138BKVL Fiche technique Couverture
BSS138BKVL Fiche technique Page 2 BSS138BKVL Fiche technique Page 3 BSS138BKVL Fiche technique Page 4 BSS138BKVL Fiche technique Page 5 BSS138BKVL Fiche technique Page 6 BSS138BKVL Fiche technique Page 7 BSS138BKVL Fiche technique Page 8 BSS138BKVL Fiche technique Page 9 BSS138BKVL Fiche technique Page 10 BSS138BKVL Fiche technique Page 11

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BSS138BK Spécifications

FabricantNexperia USA Inc.
SérieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)60V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C360mA (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-236AB
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Fabricant

NXP USA Inc.

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6.2A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

492pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

540mW (Ta), 6.25W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

6-TSOP

Paquet / Caisse

SC-74, SOT-457

SI7430DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

26A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

5.2W (Ta), 64W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PowerPAK® SO-8

Paquet / Caisse

PowerPAK® SO-8

RFP30N06LE

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

30A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (maximum)

+10V, -8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

96W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220-3

Paquet / Caisse

TO-220-3

ZVN4306GTA

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.1A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-223

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

STP2NK100Z

STMicroelectronics

Fabricant

STMicroelectronics

Série

SuperMESH™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

1000V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

1.85A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

499pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

70W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

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