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CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3 CAT24M01WI-GT3

Pour référence seulement

Numéro de pièce CAT24M01WI-GT3
N ° de pièce PNEDA CAT24M01WI-GT3
Description IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 24 549
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Livraison estimée août 14 - août 19 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

CAT24M01WI-GT3 Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleCAT24M01WI-GT3
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
CAT24M01WI-GT3, CAT24M01WI-GT3 Fiche technique (Nombre total de pages: 14, Taille: 366,53 KB)
PDFCAT24M01WI-G Fiche technique Couverture
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CAT24M01WI-GT3 Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireEEPROM
TechnologieEEPROM
Taille de la mémoire1Mb (128K x 8)
Interface mémoireI²C
Fréquence d'horloge1MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page5ms
Temps d'accès400ns
Tension - Alimentation1.8V ~ 5.5V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOIC

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Format de la mémoire

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Technologie

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Taille de la mémoire

-

Interface mémoire

-

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

S29WS128N0SBFW012

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

-

Format de la mémoire

-

Technologie

-

Taille de la mémoire

-

Interface mémoire

-

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

IDT71P79804S167BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Taille de la mémoire

18Mb (1M x 18)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

167MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

8.4ns

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

165-TBGA

Package de périphérique fournisseur

165-CABGA (13x15)

SST26VF032BT-104I/MF

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

SST26 SQI®

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

32Mb (4M x 8)

Interface mémoire

SPI - Quad I/O

Fréquence d'horloge

104MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

1.5ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-WDFN Exposed Pad

Package de périphérique fournisseur

8-WDFN (5x6)

AS4C128M16D3LA-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Fabricant

Alliance Memory, Inc.

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Taille de la mémoire

2Gb (128M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

800MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

15ns

Temps d'accès

20ns

Tension - Alimentation

1.283V ~ 1.45V

Température de fonctionnement

0°C ~ 95°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

96-VFBGA

Package de périphérique fournisseur

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