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D45VH10G

D45VH10G D45VH10G

Pour référence seulement

Numéro de pièce D45VH10G
N ° de pièce PNEDA D45VH10G
Description TRANS PNP 80V 15A TO220AB
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 22 830
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D45VH10G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleD45VH10G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fiche technique
D45VH10G, D45VH10G Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 98,62 KB)
PDFD45VH10 Fiche technique Couverture
D45VH10 Fiche technique Page 2 D45VH10 Fiche technique Page 3 D45VH10 Fiche technique Page 4 D45VH10 Fiche technique Page 5

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D45VH10G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)15A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)80V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic1V @ 800mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max)-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 1V
Puissance - Max83W
Fréquence - Transition50MHz
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / CaisseTO-220-3
Package de périphérique fournisseurTO-220AB

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Nexperia

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

2A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

20V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

Puissance - Max

650mW

Fréquence - Transition

170MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package de périphérique fournisseur

SC-73

FJX945YTF

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

150mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Puissance - Max

200mW

Fréquence - Transition

300MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SC-70, SOT-323

Package de périphérique fournisseur

SC-70 (SOT323)

MJD42C

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

6A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

100V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Courant - Coupure du collecteur (max)

50µA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Puissance - Max

1.75W

Fréquence - Transition

3MHz

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package de périphérique fournisseur

DPAK

KSC2258AS

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

300V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

-

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 40mA, 20V

Puissance - Max

4W

Fréquence - Transition

100MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-225AA, TO-126-3

Package de périphérique fournisseur

TO-126-3

MMBT2907ALT1HTSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

600mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

60V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

10nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Puissance - Max

330mW

Fréquence - Transition

200MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

SOT-23-3

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