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DDC144EU-7

DDC144EU-7

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Numéro de pièce DDC144EU-7
N ° de pièce PNEDA DDC144EU-7
Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Fabricant Diodes Incorporated
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En stock 4 536
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Livraison estimée sept. 30 - oct. 5 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

DDC144EU-7 Ressources

Marque Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleDDC144EU-7
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés
Fiche technique
DDC144EU-7, DDC144EU-7 Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 97,82 KB)
PDFDDC144EU-7 Fiche technique Couverture
DDC144EU-7 Fiche technique Page 2 DDC144EU-7 Fiche technique Page 3 DDC144EU-7 Fiche technique Page 4 DDC144EU-7 Fiche technique Page 5

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DDC144EU-7 Spécifications

FabricantDiodes Incorporated
Série-
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50V
Résistance - Base (R1)47kOhms
Résistance - Base émetteur (R2)47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max)500nA
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max200mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurSOT-363

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Fabricant

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Série

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Type de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Résistance - Base (R1)

47kOhms

Résistance - Base émetteur (R2)

47kOhms

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

1µA

Fréquence - Transition

-

Puissance - Max

300mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SOT-563, SOT-666

Package de périphérique fournisseur

SOT-666

RN1971TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

-

Type de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Résistance - Base (R1)

10kOhms

Résistance - Base émetteur (R2)

-

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Fréquence - Transition

250MHz

Puissance - Max

200mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package de périphérique fournisseur

US6

DDC142TH-7

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Résistance - Base (R1)

470Ohms

Résistance - Base émetteur (R2)

-

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

-

Fréquence - Transition

200MHz

Puissance - Max

150mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SOT-563, SOT-666

Package de périphérique fournisseur

SOT-563

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Fabricant

NXP USA Inc.

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Type de transistor

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Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA, 200mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Résistance - Base (R1)

10kOhms

Résistance - Base émetteur (R2)

10kOhms

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

1µA

Fréquence - Transition

230MHz

Puissance - Max

300mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Type de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

50V

Résistance - Base (R1)

10kOhms

Résistance - Base émetteur (R2)

10kOhms

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

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