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DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7 DMG4468LFG-7

Pour référence seulement

Numéro de pièce DMG4468LFG-7
N ° de pièce PNEDA DMG4468LFG-7
Description MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
Fabricant Diodes Incorporated
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DMG4468LFG-7 Ressources

Marque Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleDMG4468LFG-7
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
DMG4468LFG-7, DMG4468LFG-7 Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 149,79 KB)
PDFDMG4468LFG-7 Fiche technique Couverture
DMG4468LFG-7 Fiche technique Page 2 DMG4468LFG-7 Fiche technique Page 3 DMG4468LFG-7 Fiche technique Page 4 DMG4468LFG-7 Fiche technique Page 5 DMG4468LFG-7 Fiche technique Page 6

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DMG4468LFG-7 Spécifications

FabricantDiodes Incorporated
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C7.62A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs18.85nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds867pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)990mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurU-DFN3030-8
Paquet / Caisse8-PowerUDFN

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Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.44A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.47nC @ 5V

Vgs (maximum)

±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

940mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

U-DFN3030-8

Paquet / Caisse

8-PowerUDFN

IPD50R280CEATMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ CE

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

500V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

13A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 350µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32.6nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

773pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

119W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TO252-3

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF730AL

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

400V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

5.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

74W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

I2PAK

Paquet / Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ZXM61P02FTA

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

900mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 610mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

625mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-23-3

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

CSD19505KTT

Texas Instruments

Fabricant

Série

NexFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

200A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7920pF @ 40V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DDPAK/TO-263-3

Paquet / Caisse

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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