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EGP30D

EGP30D

Pour référence seulement

Numéro de pièce EGP30D
N ° de pièce PNEDA EGP30D
Fabricant ON Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 3 222
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Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

EGP30D Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleEGP30D
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
EGP30D, EGP30D Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 248,84 KB)
PDFEGP30C Fiche technique Couverture
EGP30C Fiche technique Page 2 EGP30C Fiche technique Page 3 EGP30C Fiche technique Page 4 EGP30C Fiche technique Page 5 EGP30C Fiche technique Page 6

EGP30D Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)200V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si950mV @ 3A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F95pF @ 4V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / CaisseDO-201AD, Axial
Package de périphérique fournisseurDO-201AD
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 150°C

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Série

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Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

20V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

450mV @ 1A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

1mA @ 20V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-214AA, SMB

Package de périphérique fournisseur

DO-214AA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

RS1DL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

200V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

800mA

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.3V @ 800mA

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

150ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AB

Package de périphérique fournisseur

Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

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Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

200V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.1V @ 1A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

DO-204AL, DO-41, Axial

Package de périphérique fournisseur

DO-204AL (DO-41)

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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Fabricant

STMicroelectronics

Série

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Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

1200V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

15A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

2.1V @ 15A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

105ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

15µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package de périphérique fournisseur

D2PAK

Température de fonctionnement - Jonction

175°C (Max)

SS115LHRHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

150V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

900mV @ 1A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

50µA @ 150V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AB

Package de périphérique fournisseur

Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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