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EPC2032

EPC2032 EPC2032

Pour référence seulement

Numéro de pièce EPC2032
N ° de pièce PNEDA EPC2032
Description GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
Fabricant EPC
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EPC2032 Ressources

Marque EPC
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleEPC2032
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
EPC2032, EPC2032 Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 1 289,48 KB)
PDFEPC2032 Fiche technique Couverture
EPC2032 Fiche technique Page 2 EPC2032 Fiche technique Page 3 EPC2032 Fiche technique Page 4 EPC2032 Fiche technique Page 5 EPC2032 Fiche technique Page 6

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EPC2032 Spécifications

FabricantEPC
SérieeGaN®
Type FETN-Channel
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange vers la source (Vdss)100V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C48A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 11mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (maximum)+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1530pF @ 50V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDie
Paquet / CaisseDie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

270W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220-3

Paquet / Caisse

TO-220-3

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

29A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 400V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

174W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-HDSOP-10-1

Paquet / Caisse

10-PowerSOP Module

IPI030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO262-3

Paquet / Caisse

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.6A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.8A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 49W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

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