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FDB4020P

FDB4020P

Pour référence seulement

Numéro de pièce FDB4020P
N ° de pièce PNEDA FDB4020P
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 3 024
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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FDB4020P Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleFDB4020P
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
FDB4020P, FDB4020P Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 78,73 KB)
PDFFDB4020P Fiche technique Couverture
FDB4020P Fiche technique Page 2 FDB4020P Fiche technique Page 3 FDB4020P Fiche technique Page 4 FDB4020P Fiche technique Page 5

FDB4020P Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)20V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C16A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)37.5W (Tc)
Température de fonctionnement-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263AB
Paquet / CaisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

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600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

5.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

780mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (maximum)

±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

20W (Tc)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220FP

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

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Type FET

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

28A (Ta), 49A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6420pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 28.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.44mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4820pF @ 400V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

391W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

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Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

68V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

110A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

176W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220

Paquet / Caisse

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

17A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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-

Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)

Température de fonctionnement

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