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FDS4435

FDS4435

Pour référence seulement

Numéro de pièce FDS4435
N ° de pièce PNEDA FDS4435
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 360
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Livraison estimée mars 1 - mars 6 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

FDS4435 Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleFDS4435
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
FDS4435, FDS4435 Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 64,33 KB)
PDFFDS4435 Fiche technique Couverture
FDS4435 Fiche technique Page 2 FDS4435 Fiche technique Page 3 FDS4435 Fiche technique Page 4 FDS4435 Fiche technique Page 5

FDS4435 Spécifications

FabricantON Semiconductor
SériePowerTrench®
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C8.8A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 5V
Vgs (maximum)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1604pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

14A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

265mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2220pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247

Paquet / Caisse

TO-247-3

STD15N50M2AG

STMicroelectronics

Fabricant

STMicroelectronics

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

500V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

85W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DPAK

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFS3107-7PPBF

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

75V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

240A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 160A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

370W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D2PAK (7-Lead)

Paquet / Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

850V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

30A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

695W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

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Paquet / Caisse

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

480mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

3.3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

760mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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