FQP22N30
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| Numéro de pièce | FQP22N30 |
| N ° de pièce PNEDA | FQP22N30 |
| Description | MOSFET N-CH 300V 21A TO-220 |
| Fabricant | ON Semiconductor |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 12 156 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQP22N30 Ressources
| Marque | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | FQP22N30 |
| Catégorie | Semi-conducteurs › Transistors › Transistors - FET, MOSFET - Simple |
| Fiche technique |
FQP22N30, FQP22N30 Fiche technique
(Nombre total de pages: 10, Taille: 800,26 KB)
  
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FQP22N30 Spécifications
| Fabricant | ON Semiconductor |
| Série | QFET® |
| Type FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de vidange vers la source (Vdss) | 300V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220-3 |
| Paquet / Caisse | TO-220-3 |
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