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FQP22N30

FQP22N30

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Numéro de pièce FQP22N30
N ° de pièce PNEDA FQP22N30
Description MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 12 156
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FQP22N30 Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleFQP22N30
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
FQP22N30, FQP22N30 Fiche technique (Nombre total de pages: 10, Taille: 800,26 KB)
PDFFQP22N30 Fiche technique Couverture
FQP22N30 Fiche technique Page 2 FQP22N30 Fiche technique Page 3 FQP22N30 Fiche technique Page 4 FQP22N30 Fiche technique Page 5 FQP22N30 Fiche technique Page 6 FQP22N30 Fiche technique Page 7 FQP22N30 Fiche technique Page 8 FQP22N30 Fiche technique Page 9 FQP22N30 Fiche technique Page 10

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FQP22N30 Spécifications

FabricantON Semiconductor
SérieQFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)300V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C21A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (maximum)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)170W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220-3
Paquet / CaisseTO-220-3

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Série

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6.5A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.5W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

-

Technologie

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-ECH

Paquet / Caisse

8-SMD, Flat Lead

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

QFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9.3A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220-3

Paquet / Caisse

TO-220-3

IRF840ASTRRPBF

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Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

500V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1018pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

48A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

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Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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