+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Envoyer un message
Des millions de pièces électroniques en stock. Prix et délais de livraison dans les 24 heures.

IRF6635TRPBF

IRF6635TRPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRF6635TRPBF
N ° de pièce PNEDA IRF6635TRPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 6 876
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

IRF6635TRPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRF6635TRPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
IRF6635TRPBF, IRF6635TRPBF Fiche technique (Nombre total de pages: 10, Taille: 255,6 KB)
PDFIRF6635TRPBF Fiche technique Couverture
IRF6635TRPBF Fiche technique Page 2 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 3 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 4 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 5 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 6 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 7 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 8 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 9 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 10

IRF6635TRPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C32A (Ta), 180A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5970pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDIRECTFET™ MX
Paquet / CaisseDirectFET™ Isometric MX

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

Les produits qui pourraient vous intéresser

STD10PF06T4

STMicroelectronics

Fabricant

STMicroelectronics

Série

STripFET™ II

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DPAK

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

XP151A13A0MR-G

Torex Semiconductor Ltd

Fabricant

Torex Semiconductor Ltd

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-23

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMT10H014LSS-13

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8.9A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1871pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.2W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-SO

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPB100N06S205ATMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

55V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5110pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TO263-3-2

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF8302MTR1PBF

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

31A (Ta), 190A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6030pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DIRECTFET™ MX

Paquet / Caisse

DirectFET™ Isometric MX

Certificates

Demande rapide

Ajouter au panier

Contactez-nous

Besoin d'aide?

Nhésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur {0}.

Récemment vendu

MCP73832T-2ATI/OT

MCP73832T-2ATI/OT

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR SOT23-5

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

LTC4364HS-2#PBF

LTC4364HS-2#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC SURGE STOPPER W/DIODE SMD

EPM7128STC100-15N

EPM7128STC100-15N

Intel

IC CPLD 128MC 15NS 100TQFP

50ZL560MEFC12.5X25

50ZL560MEFC12.5X25

Rubycon

CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL

FDLL4148

FDLL4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA LL34

CM453232-6R8KL

CM453232-6R8KL

Bourns

FIXED IND 6.8UH 285MA 1.2 OHM

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

OV00426-B64G

OV00426-B64G

OmniVision Technologies Inc

BRIDGE SENSOR ASIC

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

LTM8074IY#PBF

LTM8074IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 1.2A 25BGA

NC7SZ19P6X

NC7SZ19P6X

ON Semiconductor

IC DECODER/DEMUX UHS 1OF2 SC70-6