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IRF6635TRPBF

IRF6635TRPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRF6635TRPBF
N ° de pièce PNEDA IRF6635TRPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 6 876
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Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

IRF6635TRPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRF6635TRPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
IRF6635TRPBF, IRF6635TRPBF Fiche technique (Nombre total de pages: 10, Taille: 255,6 KB)
PDFIRF6635TRPBF Fiche technique Couverture
IRF6635TRPBF Fiche technique Page 2 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 3 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 4 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 5 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 6 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 7 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 8 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 9 IRF6635TRPBF Fiche technique Page 10

IRF6635TRPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C32A (Ta), 180A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5970pF @ 15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDIRECTFET™ MX
Paquet / CaisseDirectFET™ Isometric MX

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8.9A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1871pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.2W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

FRFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

900V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

15A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

-8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 6V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

700mW (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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