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IRF7739L1TRPBF

IRF7739L1TRPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRF7739L1TRPBF
N ° de pièce PNEDA IRF7739L1TRPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 4 985
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IRF7739L1TRPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRF7739L1TRPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

IRF7739L1TRPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)40V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C46A (Ta), 270A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 160A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs330nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11880pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.8W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDIRECTFET L8
Paquet / CaisseDirectFET™ Isometric L8

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Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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IRFHM9331TRPBF

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

11A (Ta), 24A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 11A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (maximum)

±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1543pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PQFN (3x3)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

IRF9520S

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6.8A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D2PAK

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPP120N20NFDAKSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

84A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 84A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6650pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO220-3

Paquet / Caisse

TO-220-3

BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

46A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 14µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TDSON-8-6

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

NVMFS5C670NLWFT3G

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

17A (Ta), 71A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.6W (Ta), 61W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

Certificates

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