IRFI530G
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| Numéro de pièce | IRFI530G |
| N ° de pièce PNEDA | IRFI530G |
| Description | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 8 046 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFI530G Ressources
| Marque | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | IRFI530G |
| Catégorie | Semi-conducteurs › Transistors › Transistors - FET, MOSFET - Simple |
| Fiche technique |
IRFI530G, IRFI530G Fiche technique
(Nombre total de pages: 8, Taille: 936,42 KB)
  
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IRFI530G Spécifications
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Série | - |
| Type FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de vidange vers la source (Vdss) | 100V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C | 9.7A (Tc) |
| Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220-3 |
| Paquet / Caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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