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IRFIZ46NPBF

IRFIZ46NPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRFIZ46NPBF
N ° de pièce PNEDA IRFIZ46NPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 3 186
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IRFIZ46NPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRFIZ46NPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
IRFIZ46NPBF, IRFIZ46NPBF Fiche technique (Nombre total de pages: 9, Taille: 224,28 KB)
PDFIRFIZ46NPBF Fiche technique Couverture
IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 2 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 3 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 4 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 5 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 6 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 7 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 8 IRFIZ46NPBF Fiche technique Page 9

IRFIZ46NPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)55V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C33A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)45W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB Full-Pak
Paquet / CaisseTO-220-3 Full Pack

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Vishay Siliconix

Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

23A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2418pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220 Full Pack

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack

IPP65R150CFDXKSA2

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ CFD2

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

22.4A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 900µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

195.3W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO220-3

Paquet / Caisse

TO-220-3

IRL640STRRPBF

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

17A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 5V

Vgs (maximum)

±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D2PAK

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD2HNK60Z-1

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Fabricant

STMicroelectronics

Série

SuperMESH™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

45W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

200V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3W (Ta), 74W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D²PAK (TO-263)

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Certificates

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