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IRFR4105TR

IRFR4105TR

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRFR4105TR
N ° de pièce PNEDA IRFR4105TR
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 2 376
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Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

IRFR4105TR Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRFR4105TR
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
IRFR4105TR, IRFR4105TR Fiche technique (Nombre total de pages: 11, Taille: 149,89 KB)
PDFIRFR4105TRR Fiche technique Couverture
IRFR4105TRR Fiche technique Page 2 IRFR4105TRR Fiche technique Page 3 IRFR4105TRR Fiche technique Page 4 IRFR4105TRR Fiche technique Page 5 IRFR4105TRR Fiche technique Page 6 IRFR4105TRR Fiche technique Page 7 IRFR4105TRR Fiche technique Page 8 IRFR4105TRR Fiche technique Page 9 IRFR4105TRR Fiche technique Page 10 IRFR4105TRR Fiche technique Page 11

IRFR4105TR Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)55V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C27A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)68W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD-Pak
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

24A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Vishay Siliconix

Fabricant

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Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.5A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 5V

Vgs (maximum)

±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

13A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (maximum)

20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)

Température de fonctionnement

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

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Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

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