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IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRFU9024NPBF
N ° de pièce PNEDA IRFU9024NPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 4 966
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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IRFU9024NPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRFU9024NPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

IRFU9024NPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)55V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C11A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)38W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurIPAK (TO-251)
Paquet / CaisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12.2A (Ta), 70A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 32V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3W (Ta), 100W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Fabricant

Vishay Siliconix

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

40A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

5W (Ta), 34.7W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PowerPAK® SO-8

Paquet / Caisse

PowerPAK® SO-8

IPB025N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TO263-7

Paquet / Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

NTR3C21NZT3G

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1540pF @ 16V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

470mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

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Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 900µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

195.3W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

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Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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