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IRL3705ZPBF

IRL3705ZPBF

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Numéro de pièce IRL3705ZPBF
N ° de pièce PNEDA IRL3705ZPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 17 772
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Livraison estimée janv. 24 - janv. 29 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

IRL3705ZPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRL3705ZPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

IRL3705ZPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)55V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 5V
Vgs (maximum)±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2880pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)130W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / CaisseTO-220-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Série

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Type FET

N-Channel

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

24A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2140pF @ 400V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

128W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD06P004NATMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

16.4A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 710µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 30V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

63W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TO252-3

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVMFS5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

Automotive, AEC-Q101

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8.1A (Ta), 21A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.4W (Ta), 24W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN, 5 Leads

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Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

73A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 50V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

190W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Série

HEXFET®

Type FET

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Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

11A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-SO

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Certificates

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