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IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF

Pour référence seulement

Numéro de pièce IRLML6402TRPBF
N ° de pièce PNEDA IRLML6402TRPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 1 221 318
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IRLML6402TRPBF Ressources

Marque Infineon Technologies
Fab. Numéro d'articleIRLML6402TRPBF
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple

IRLML6402TRPBF Spécifications

FabricantInfineon Technologies
SérieHEXFET®
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)20V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C3.7A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Vgs (maximum)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds633pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.3W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurMicro3™/SOT-23
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

4.6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (maximum)

±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-223

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

FCB110N65F

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

FRFET®, SuperFET® II

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4895pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

357W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D²PAK

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7524D1TR

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

FETKY™

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

1.7A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max)

1.25W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

Micro8™

Paquet / Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

NDS8435

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9.2A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 140µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (maximum)

±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3520pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.56W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

P-DSO-8

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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