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ISL9R460P2

ISL9R460P2

Pour référence seulement

Numéro de pièce ISL9R460P2
N ° de pièce PNEDA ISL9R460P2
Fabricant ON Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 5 400
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ISL9R460P2 Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleISL9R460P2
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
ISL9R460P2, ISL9R460P2 Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 142,37 KB)
PDFISL9R460S3ST Fiche technique Couverture
ISL9R460S3ST Fiche technique Page 2 ISL9R460S3ST Fiche technique Page 3 ISL9R460S3ST Fiche technique Page 4 ISL9R460S3ST Fiche technique Page 5 ISL9R460S3ST Fiche technique Page 6

ISL9R460P2 Spécifications

FabricantON Semiconductor
SérieStealth™
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)600V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)4A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si2.4V @ 4A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)22ns
Courant - Fuite inverse @ Vr100µA @ 600V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageThrough Hole
Paquet / CaisseTO-220-2
Package de périphérique fournisseurTO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

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Fabricant

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Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

8A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.5V @ 8A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-220-2

Package de périphérique fournisseur

TO-220AC

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

VS-40HFLR20S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

-

Type de diode

Standard, Reverse Polarity

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

200V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

40A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.95V @ 40A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

200ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

100µA @ 200V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis, Stud Mount

Paquet / Caisse

DO-203AB, DO-5, Stud

Package de périphérique fournisseur

DO-203AB

Température de fonctionnement - Jonction

-40°C ~ 125°C

SBR10B45P5-13D

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

SBR®

Type de diode

Super Barrier

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

45V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

10A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

550mV @ 10A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

380µA @ 45V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

PowerDI™ 5

Package de périphérique fournisseur

PowerDI™ 5

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

UFR3270R

Microsemi

Fabricant

Microsemi Corporation

Série

*

Type de diode

-

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

-

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

-

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

-

Vitesse

-

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

-

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

Température de fonctionnement - Jonction

-

MURS340HE3/57T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

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Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

400V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

3A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.25V @ 3A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

75ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

10µA @ 400V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-214AB, SMC

Package de périphérique fournisseur

DO-214AB (SMC)

Température de fonctionnement - Jonction

-65°C ~ 175°C

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