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JAN1N6392

JAN1N6392

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Numéro de pièce JAN1N6392
N ° de pièce PNEDA JAN1N6392
Description DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO213AA
Fabricant Microsemi
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En stock 6 552
Entrepôts Shipped from Hong Kong SAR
Livraison estimée sept. 29 - oct. 4 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

JAN1N6392 Ressources

Marque Microsemi
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleJAN1N6392
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple

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JAN1N6392 Spécifications

FabricantMicrosemi Corporation
SérieMilitary, MIL-PRF-19500/554
Type de diodeSchottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)45V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)54A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si680mV @ 60A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inverse @ Vr2mA @ 45V
Capacité @ Vr, F3000pF @ 5V, 1MHz
Type de montageChassis, Stud Mount
Paquet / CaisseDO-203AB, DO-5, Stud
Package de périphérique fournisseurDO-203AB (DO-5)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C

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Courant - Moyenne rectifiée (Io)

8A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

2.55V @ 8A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

144ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

55µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-220-2

Package de périphérique fournisseur

TO-220AC

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 175°C

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Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

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Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

90V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

2A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

850mV @ 2A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

100µA @ 90V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AB

Package de périphérique fournisseur

Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

MBRS340PT3G

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

40V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

3A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

500mV @ 3A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

2mA @ 40V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-214AB, SMC

Package de périphérique fournisseur

SMC

Température de fonctionnement - Jonction

-65°C ~ 150°C

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Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

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Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

800V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.1V @ 1A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

1µA @ 800V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SOD-123W

Package de périphérique fournisseur

SOD123W

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 175°C

MSS2P2-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

20V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

2A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

600mV @ 2A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

250µA @ 20V

Capacité @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AD

Package de périphérique fournisseur

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Température de fonctionnement - Jonction

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