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M29W128GL70ZA6E

M29W128GL70ZA6E

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Numéro de pièce M29W128GL70ZA6E
N ° de pièce PNEDA M29W128GL70ZA6E
Fabricant Micron Technology Inc.
Description IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 2 322
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M29W128GL70ZA6E Ressources

Marque Micron Technology Inc.
Fab. Numéro d'articleM29W128GL70ZA6E
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire

M29W128GL70ZA6E Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire128Mb (16M x 8, 8M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge-
Temps de cycle d'écriture - Mot, page70ns
Temps d'accès70ns
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse64-TBGA
Package de périphérique fournisseur64-TBGA (10x13)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

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Taille de la mémoire

128Mb (4M x 32)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

200MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

15ns

Temps d'accès

5ns

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.95V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

90-TFBGA

Package de périphérique fournisseur

90-VFBGA (8x13)

MT29F128G08CFAABWP-12:A

Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Taille de la mémoire

128Gb (16G x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

83MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

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Série

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Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

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Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Taille de la mémoire

72Mb (2M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

333MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Taille de la mémoire

4Mb (256K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

55ns

Temps d'accès

55ns

Tension - Alimentation

2.3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 125°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

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Technologie

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Taille de la mémoire

32Mb (4M x 8)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

75MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

3ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

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Paquet / Caisse

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