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M29W160ET70N6E

M29W160ET70N6E M29W160ET70N6E

Pour référence seulement

Numéro de pièce M29W160ET70N6E
N ° de pièce PNEDA M29W160ET70N6E
Fabricant Micron Technology Inc.
Description IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 418
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M29W160ET70N6E Ressources

Marque Micron Technology Inc.
Fab. Numéro d'articleM29W160ET70N6E
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
M29W160ET70N6E, M29W160ET70N6E Fiche technique (Nombre total de pages: 47, Taille: 640,56 KB)
PDFM29W160ET70N3E Fiche technique Couverture
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M29W160ET70N6E Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge-
Temps de cycle d'écriture - Mot, page70ns
Temps d'accès70ns
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur48-TSOP

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

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ON Semiconductor

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

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EEPROM

Taille de la mémoire

4Kb (512 x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

900ns

Tension - Alimentation

1.7V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

S29GL01GS10DHSS33

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

GL-S

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

1Gb (64M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

60ns

Temps d'accès

100ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

64-LBGA

Package de périphérique fournisseur

64-FBGA (9x9)

7134SA20J8

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Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Taille de la mémoire

32Kb (4K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

20ns

Temps d'accès

20ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

52-LCC (J-Lead)

Package de périphérique fournisseur

52-PLCC (19.13x19.13)

MT28F640J3RP-115 MET TR

Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

115ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

56-TSOP I

S29GL032N90BAI040

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

GL-N

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

90ns

Temps d'accès

90ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

48-VFBGA

Package de périphérique fournisseur

48-FBGA (8.15x6.15)

Certificates

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