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MJD122G

MJD122G

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Numéro de pièce MJD122G
N ° de pièce PNEDA MJD122G
Description TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 29 274
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MJD122G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMJD122G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fiche technique
MJD122G, MJD122G Fiche technique (Nombre total de pages: 8, Taille: 100,84 KB)
PDFMJD122T4 Fiche technique Couverture
MJD122T4 Fiche technique Page 2 MJD122T4 Fiche technique Page 3 MJD122T4 Fiche technique Page 4 MJD122T4 Fiche technique Page 5 MJD122T4 Fiche technique Page 6 MJD122T4 Fiche technique Page 7 MJD122T4 Fiche technique Page 8

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MJD122G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de transistorNPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max)8A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)100V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max)10µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Puissance - Max1.75W
Fréquence - Transition4MHz
Température de fonctionnement-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseurDPAK

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ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

500mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

20V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

200nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

Puissance - Max

500mW

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package de périphérique fournisseur

TO-92-3

BCW33LT1

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

32V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Puissance - Max

300mW

Fréquence - Transition

-

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Fabricant

NXP USA Inc.

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

750mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

60V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 100mA, 1A

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Puissance - Max

425mW

Fréquence - Transition

220MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

SMT3; MPAK

BC548B

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

30V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

15nA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Puissance - Max

625mW

Fréquence - Transition

300MHz

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package de périphérique fournisseur

TO-92-3

MMJT9435T1

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

3A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

30V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

Courant - Coupure du collecteur (max)

-

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

Puissance - Max

3W

Fréquence - Transition

110MHz

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package de périphérique fournisseur

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