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MMBF170

MMBF170 MMBF170

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Numéro de pièce MMBF170
N ° de pièce PNEDA MMBF170
Description MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 1 098 180
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Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

MMBF170 Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMMBF170
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
MMBF170, MMBF170 Fiche technique (Nombre total de pages: 14, Taille: 1 498,82 KB)
PDFMMBF170 Fiche technique Couverture
MMBF170 Fiche technique Page 2 MMBF170 Fiche technique Page 3 MMBF170 Fiche technique Page 4 MMBF170 Fiche technique Page 5 MMBF170 Fiche technique Page 6 MMBF170 Fiche technique Page 7 MMBF170 Fiche technique Page 8 MMBF170 Fiche technique Page 9 MMBF170 Fiche technique Page 10 MMBF170 Fiche technique Page 11

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MMBF170 Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)60V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C500mA (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds40pF @ 10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

150A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 20V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta), 170W (Tc)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

8-SOP Advance (5x5)

Paquet / Caisse

8-PowerVDFN

IRFBF30STRR

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

900V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.6A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D2PAK

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK625R0-40C,118

Nexperia

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

90A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (maximum)

±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

158W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

DPAK

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

500V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

5.3A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

104W (Tc)

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Paquet / Caisse

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Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

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Type FET

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

36A (Ta), 75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.85mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

4.2W (Ta), 34W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

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