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MMBT2369LT1G

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Pour référence seulement

Numéro de pièce MMBT2369LT1G
N ° de pièce PNEDA MMBT2369LT1G
Description TRANS NPN 15V 0.2A SOT23
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 278 112
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MMBT2369LT1G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMMBT2369LT1G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fiche technique
MMBT2369LT1G, MMBT2369LT1G Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 127,56 KB)
PDFMMBT2369ALT3G Fiche technique Couverture
MMBT2369ALT3G Fiche technique Page 2 MMBT2369ALT3G Fiche technique Page 3 MMBT2369ALT3G Fiche technique Page 4 MMBT2369ALT3G Fiche technique Page 5 MMBT2369ALT3G Fiche technique Page 6

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MMBT2369LT1G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type de transistorNPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)200mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)15V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max)400nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 350mV
Puissance - Max225mW
Fréquence - Transition-
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN - Darlington

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

8A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

100V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A

Courant - Coupure du collecteur (max)

10µA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

Puissance - Max

1.75W

Fréquence - Transition

4MHz

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package de périphérique fournisseur

DPAK

2SD2153T100U

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Fabricant

Rohm Semiconductor

Série

-

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

2A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

25V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 20mA, 1A

Courant - Coupure du collecteur (max)

500nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

820 @ 500mA, 6V

Puissance - Max

2W

Fréquence - Transition

110MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-243AA

Package de périphérique fournisseur

MPT3

BC857C TR

Central Semiconductor Corp

Fabricant

Central Semiconductor Corp

Série

-

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

45V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

50mV @ 5mA, 100mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

15nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Puissance - Max

350mW

Fréquence - Transition

100MHz

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package de périphérique fournisseur

SOT-23

DXT751Q-13

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

3A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

60V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 300mA, 3A

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Puissance - Max

1W

Fréquence - Transition

100MHz

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-243AA

Package de périphérique fournisseur

SOT-89-3

BCP53F

Nexperia

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de transistor

PNP

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

1A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)

80V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Courant - Coupure du collecteur (max)

100nA (ICBO)

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Puissance - Max

-

Fréquence - Transition

145MHz

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package de périphérique fournisseur

SC-73

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