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MSS1P5HM3/89A

MSS1P5HM3/89A

Pour référence seulement

Numéro de pièce MSS1P5HM3/89A
N ° de pièce PNEDA MSS1P5HM3-89A
Description DIODE SCHOTTKY 1A 50V MICROSMP
Fabricant Vishay Semiconductor Diodes Division
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En stock 3 618
Entrepôts Shipped from Hong Kong SAR
Livraison estimée juin 2 - juin 7 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

MSS1P5HM3/89A Ressources

Marque Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMSS1P5HM3/89A
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
MSS1P5HM3/89A, MSS1P5HM3/89A Fiche technique (Nombre total de pages: 4, Taille: 103,74 KB)
PDFMSS1P6HM3J/89A Fiche technique Couverture
MSS1P6HM3J/89A Fiche technique Page 2 MSS1P6HM3J/89A Fiche technique Page 3 MSS1P6HM3J/89A Fiche technique Page 4

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MSS1P5HM3/89A Spécifications

FabricantVishay Semiconductor Diodes Division
SérieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Type de diodeSchottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)50V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si680mV @ 1A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inverse @ Vr150µA @ 50V
Capacité @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseDO-219AD
Package de périphérique fournisseurMicroSMP (DO-219AD)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C

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Fabricant

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*

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100V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

20A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

705mV @ 20A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

140µA @ 100V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-220-3

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Température de fonctionnement - Jonction

175°C (Max)

6A01B-G

Comchip Technology

Fabricant

Comchip Technology

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

100V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

6A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1V @ 6A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

10µA @ 100V

Capacité @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

R6, Axial

Package de périphérique fournisseur

R-6

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 125°C

VIT2080S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

80V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

20A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

920mV @ 20A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

700µA @ 80V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package de périphérique fournisseur

TO-262AA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

1600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1050A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1V @ 1000A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

60mA @ 1600V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

-

Température de fonctionnement - Jonction

-40°C ~ 180°C

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Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

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Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

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Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

500µA @ 30V

Capacité @ Vr, F

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