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MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT MT25QL128ABA1EW9-0SIT

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Numéro de pièce MT25QL128ABA1EW9-0SIT
N ° de pièce PNEDA MT25QL128ABA1EW9-0SIT
Description IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Fabricant Micron Technology Inc.
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En stock 2 819
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Livraison estimée juin 29 - juil. 4 (Choisissez la livraison accélérée)
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT Ressources

Marque Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMT25QL128ABA1EW9-0SIT
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
MT25QL128ABA1EW9-0SIT, MT25QL128ABA1EW9-0SIT Fiche technique (Nombre total de pages: 92, Taille: 1 225,59 KB)
PDFMT25QL128ABA1ESE-MSIT Fiche technique Couverture
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire128Mb (16M x 8)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge133MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page8ms, 2.8ms
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-WPDFN (8x6) (MLP8)

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Type de mémoire

Volatile

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Taille de la mémoire

16Kb (2K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

55ns

Temps d'accès

55ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

52-LCC (J-Lead)

Package de périphérique fournisseur

52-PLCC (19.13x19.13)

25AA020AT-I/ST

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

2Kb (256 x 8)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

10MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.8V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Taille de la mémoire

1Mb (64K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

20ns

Temps d'accès

20ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Package de périphérique fournisseur

44-SOJ

24FC04HT-I/SN

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Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

4Kb (256 x 8 x 2)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

1MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

450ns

Tension - Alimentation

1.7V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

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Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Taille de la mémoire

8Gb (128M x 64)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

533MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.14V ~ 1.95V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 105°C (TC)

Type de montage

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