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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

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Numéro de pièce MT29F2G01AAAEDH4-IT:E
N ° de pièce PNEDA MT29F2G01AAAEDH4-IT-E
Description IC FLASH 2G SPI 63VFBGA
Fabricant Micron Technology Inc.
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Livraison estimée févr. 1 - févr. 6 (Choisissez la livraison accélérée)
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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E Ressources

Marque Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMT29F2G01AAAEDH4-IT:E
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire

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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NAND
Taille de la mémoire2Gb (2G x 1)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge-
Temps de cycle d'écriture - Mot, page-
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur63-VFBGA (9x11)

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Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

50MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

170ns

Tension - Alimentation

3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Package de périphérique fournisseur

86-TSOP II

CY7C025-15AXC

Cypress Semiconductor

Fabricant

Cypress Semiconductor Corp

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Taille de la mémoire

128Kb (8K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

15ns

Temps d'accès

15ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

100-LQFP

Package de périphérique fournisseur

100-TQFP (14x14)

AT25256B-CUL-T

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

20MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.8V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-VFBGA, DSBGA

Package de périphérique fournisseur

8-dBGA (2.35x3.73)

24AA52T-I/MS

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

2Kb (256 x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

900ns

Tension - Alimentation

1.8V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-MSOP

93LC46B/SN

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

1Kb (64 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

2MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

6ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOIC

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