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MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D

MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D

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Numéro de pièce MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
N ° de pièce PNEDA MT29F4G08ABBDAH4-AITX-D
Fabricant Micron Technology Inc.
Description IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 3 924
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MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D Ressources

Marque Micron Technology Inc.
Fab. Numéro d'articleMT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire

MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NAND
Taille de la mémoire4Gb (512M x 8)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge-
Temps de cycle d'écriture - Mot, page-
Temps d'accès-
Tension - Alimentation1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur63-VFBGA (9x11)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

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Taille de la mémoire

2Gb (256M x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

200MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

15ns

Temps d'accès

400ps

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 95°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

60-WBGA (11x11.5)

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Série

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Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Taille de la mémoire

256Kb (16K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

9ns

Tension - Alimentation

3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

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Fabricant

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Série

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Taille de la mémoire

2Gb (256M x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

25ns

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 105°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

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Technologie

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Taille de la mémoire

4Kb (256 x 16)

Interface mémoire

1-Wire®

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

2µs

Tension - Alimentation

-

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

-

Paquet / Caisse

6-XBGA, FCBGA

Package de périphérique fournisseur

6-FlipChip (2.82x2.54)

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Maxim Integrated

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

4Mb (512K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

150ns

Temps d'accès

150ns

Tension - Alimentation

3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

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