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MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E MT40A512M16LY-062E IT:E

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Numéro de pièce MT40A512M16LY-062E IT:E
N ° de pièce PNEDA MT40A512M16LY-062E-IT-E
Fabricant Micron Technology Inc.
Description IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 4 302
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

MT40A512M16LY-062E IT:E Ressources

Marque Micron Technology Inc.
Fab. Numéro d'articleMT40A512M16LY-062E IT:E
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
MT40A512M16LY-062E IT:E, MT40A512M16LY-062E IT:E Fiche technique (Nombre total de pages: 391, Taille: 11 348,46 KB)
PDFMT40A512M16LY-062E IT:E TR Fiche technique Couverture
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MT40A512M16LY-062E IT:E Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireDRAM
TechnologieSDRAM - DDR4
Taille de la mémoire8Gb (512M x 16)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge1.6GHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page-
Temps d'accès-
Tension - Alimentation1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse96-TFBGA
Package de périphérique fournisseur96-FBGA (7.5x13.5)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Taille de la mémoire

36Mb (1M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

450MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

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Série

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

256Kb (32K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

35ns

Temps d'accès

35ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

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Type de mémoire

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FLASH

Technologie

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Taille de la mémoire

256Mb (32M x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

90ns

Temps d'accès

90ns

Tension - Alimentation

3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

DRAM

Taille de la mémoire

576Mb (16M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

1067MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

8ns

Tension - Alimentation

1.28V ~ 1.42V

Température de fonctionnement

0°C ~ 95°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

168-BGA (13.5x13.5)

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

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FLASH - NOR

Taille de la mémoire

512Mb (32M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

60ns

Temps d'accès

110ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 105°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

64-LBGA

Package de périphérique fournisseur

64-Fortified BGA (13x11)

Certificates

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