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MT41K2G4SN-107:A TR

MT41K2G4SN-107:A TR

Pour référence seulement

Numéro de pièce MT41K2G4SN-107:A TR
N ° de pièce PNEDA MT41K2G4SN-107-A-TR
Description IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Fabricant Micron Technology Inc.
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MT41K2G4SN-107:A TR Ressources

Marque Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMT41K2G4SN-107:A TR
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
MT41K2G4SN-107:A TR, MT41K2G4SN-107:A TR Fiche technique (Nombre total de pages: 205, Taille: 2 924,52 KB)
PDFMT41K512M16HA-125:A TR Fiche technique Couverture
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MT41K2G4SN-107:A TR Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireVolatile
Format de la mémoireDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire8Gb (2G x 4)
Interface mémoireParallel
Fréquence d'horloge933MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page-
Temps d'accès20ns
Tension - Alimentation1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement0°C ~ 95°C (TC)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse78-TFBGA
Package de périphérique fournisseur78-FBGA (9x13.2)

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Fabricant

STMicroelectronics

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

8Kb (1K x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

900ns

Tension - Alimentation

2.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Package de périphérique fournisseur

8-PDIP

BR24L32F-WE2

Rohm Semiconductor

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

32Kb (4K x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

400kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.8V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

8-SOP

70T3339S166BF

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Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Taille de la mémoire

9Mb (512K x 18)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

166MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

3.6ns

Tension - Alimentation

2.4V ~ 2.6V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

208-LFBGA

Package de périphérique fournisseur

208-CABGA (15x15)

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Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

2Mb (256K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

50µs

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

32-VSOP

M29W320ET70N6E

Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

70ns

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

48-TSOP

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