+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Envoyer un message
Des millions de pièces électroniques en stock. Prix et délais de livraison dans les 24 heures.

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4 MTD20P03HDLT4

Pour référence seulement

Numéro de pièce MTD20P03HDLT4
N ° de pièce PNEDA MTD20P03HDLT4
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 7 398
Entrepôts USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Livraison estimée sept. 30 - oct. 5 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

MTD20P03HDLT4 Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleMTD20P03HDLT4
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
MTD20P03HDLT4, MTD20P03HDLT4 Fiche technique (Nombre total de pages: 11, Taille: 177,2 KB)
PDFMTD20P03HDLT4 Fiche technique Couverture
MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 2 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 3 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 4 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 5 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 6 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 7 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 8 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 9 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 10 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 11

MTD20P03HDLT4 Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C19A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 9.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22.4nC @ 5V
Vgs (maximum)±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1064pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)75W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

  • Accès global

    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

Les produits qui pourraient vous intéresser

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™, PolarP2™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

900V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

380W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PLUS-220SMD

Paquet / Caisse

PLUS-220SMD

NTMFS5H409NLT3G

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

41A (Ta), 270A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 20V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.2W (Ta), 140W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

SIHP35N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

EF

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

32A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

97mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

134nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2568pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

TO-220-3

HUF75545S3ST

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

UltraFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

270W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Paquet / Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSS87H6327XTSA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

SIPMOS™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

240V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

260mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 260mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 108µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

97pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-SOT89-4-2

Paquet / Caisse

TO-243AA

Certificates

Demande rapide

Ajouter au panier

Contactez-nous

Besoin d'aide?

Nhésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur {0}.

Récemment vendu

VLS252010ET-1R0N

VLS252010ET-1R0N

TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD

CC12H2A-TR

CC12H2A-TR

Eaton - Electronics Division

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

PCA9515ADP,118

PCA9515ADP,118

NXP

IC REDRIVER I2C 1CH 8TSSOP

STM32L452RET6

STM32L452RET6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP

NC7SV125P5X

NC7SV125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

LPC2388FBD144,551

LPC2388FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

AVX

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

MAX3295AUT+T

MAX3295AUT+T

Maxim Integrated

IC DRIVER 1/0 SOT23-6

ESD5B5.0ST1G

ESD5B5.0ST1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SOD523

ADA4096-2ARMZ

ADA4096-2ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

MAX232EESE+T

MAX232EESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201