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MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4 MTD20P03HDLT4

Pour référence seulement

Numéro de pièce MTD20P03HDLT4
N ° de pièce PNEDA MTD20P03HDLT4
Description MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
Fabricant ON Semiconductor
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MTD20P03HDLT4 Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleMTD20P03HDLT4
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
MTD20P03HDLT4, MTD20P03HDLT4 Fiche technique (Nombre total de pages: 11, Taille: 177,2 KB)
PDFMTD20P03HDLT4 Fiche technique Couverture
MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 2 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 3 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 4 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 5 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 6 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 7 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 8 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 9 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 10 MTD20P03HDLT4 Fiche technique Page 11

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MTD20P03HDLT4 Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)30V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C19A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 9.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22.4nC @ 5V
Vgs (maximum)±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1064pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)75W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK
Paquet / CaisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Fabricant

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Série

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

75V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

2.3A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 218µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-SOT223-4

Paquet / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

GA04JT17-247

GeneSiC Semiconductor

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série

-

Type FET

-

Technologie

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

1700V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

4A (Tc) (95°C)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

106W (Tc)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247AB

Paquet / Caisse

TO-247-3

MCU04N60-TP

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Fabricant

Micro Commercial Co

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

4A

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D-Pak

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHP35N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

Série

EF

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

32A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

97mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

134nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2568pF @ 100V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220AB

Paquet / Caisse

TO-220-3

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

80V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

270W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

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Paquet / Caisse

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