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MX25V1635FZNI

MX25V1635FZNI MX25V1635FZNI

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Numéro de pièce MX25V1635FZNI
N ° de pièce PNEDA MX25V1635FZNI
Fabricant Macronix
Description IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 58 794
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MX25V1635FZNI Ressources

Marque Macronix
Fab. Numéro d'articleMX25V1635FZNI
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire

MX25V1635FZNI Spécifications

FabricantMacronix
SérieMXSMIO™
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire16Mb (2M x 8)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge80MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page100µs, 4ms
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-WSON (6x5)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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Microchip Technology

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

1Kb (128 x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

100kHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

1.5ms

Temps d'accès

3500ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 125°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

8-WFDFN Exposed Pad

Package de périphérique fournisseur

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Taille de la mémoire

2Gb (64M x 32)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

400MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

15ns

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.14V ~ 1.95V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

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Fabricant

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Quad Port, Synchronous

Taille de la mémoire

72Mb (2M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

550MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

1.71V ~ 1.89V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

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Série

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

1Mb (128K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

70ns

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

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Type de mémoire

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Format de la mémoire

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Taille de la mémoire

64Kb (8K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

85ns

Temps d'accès

85ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Through Hole

Paquet / Caisse

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