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N25Q256A13EF840E

N25Q256A13EF840E N25Q256A13EF840E

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Numéro de pièce N25Q256A13EF840E
N ° de pièce PNEDA N25Q256A13EF840E
Description IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN
Fabricant Micron Technology Inc.
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N25Q256A13EF840E Ressources

Marque Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleN25Q256A13EF840E
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
N25Q256A13EF840E, N25Q256A13EF840E Fiche technique (Nombre total de pages: 92, Taille: 1 295,07 KB)
PDFN25Q256A13EF8A0F TR Fiche technique Couverture
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N25Q256A13EF840E Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire256Mb (64M x 4)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge108MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page8ms, 5ms
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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Fabricant

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Série

FL-S

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

512Mb (64M x 8)

Interface mémoire

SPI - Quad I/O

Fréquence d'horloge

133MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 105°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Package de périphérique fournisseur

16-SOIC

93C46B/S15K

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

EEPROM

Technologie

EEPROM

Taille de la mémoire

1Kb (64 x 16)

Interface mémoire

SPI

Fréquence d'horloge

2MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

2ms

Temps d'accès

-

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

Die

Package de périphérique fournisseur

Die

IS61QDPB41M36A-450B4I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Fabricant

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUADP

Taille de la mémoire

36Mb (1M x 36)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

450MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

8.4ns

Tension - Alimentation

1.71V ~ 1.89V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

165-LBGA

Package de périphérique fournisseur

165-LFBGA (13x15)

7016L35PF

IDT, Integrated Device Technology

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Taille de la mémoire

144Kb (16K x 9)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

35ns

Temps d'accès

35ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

80-LQFP

Package de périphérique fournisseur

80-TQFP (14x14)

IS61LPS102418B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Fabricant

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Série

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Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Taille de la mémoire

18Mb (1M x 18)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

200MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

-

Temps d'accès

3ns

Tension - Alimentation

3.135V ~ 3.465V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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