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N25Q256A13ESF40G

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Numéro de pièce N25Q256A13ESF40G
N ° de pièce PNEDA N25Q256A13ESF40G
Description IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
Fabricant Micron Technology Inc.
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N25Q256A13ESF40G Ressources

Marque Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleN25Q256A13ESF40G
CatégorieSemi-conducteursCI de mémoireMémoire
Fiche technique
N25Q256A13ESF40G, N25Q256A13ESF40G Fiche technique (Nombre total de pages: 92, Taille: 1 295,07 KB)
PDFN25Q256A13EF8A0F TR Fiche technique Couverture
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N25Q256A13ESF40G Spécifications

FabricantMicron Technology Inc.
Série-
Type de mémoireNon-Volatile
Format de la mémoireFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Taille de la mémoire256Mb (64M x 4)
Interface mémoireSPI
Fréquence d'horloge108MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page8ms, 5ms
Temps d'accès-
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montageSurface Mount
Paquet / Caisse16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur16-SOP2

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Série

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Taille de la mémoire

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

70ns

Temps d'accès

70ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

56-SOP (0.524", 13.30mm Width)

Package de périphérique fournisseur

56-SSOP

MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Fabricant

Micron Technology Inc.

Série

-

Type de mémoire

Volatile

Format de la mémoire

DRAM

Technologie

SDRAM

Taille de la mémoire

64Mb (2M x 32)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

143MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

14ns

Temps d'accès

5.5ns

Tension - Alimentation

3V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Package de périphérique fournisseur

86-TSOP II

DS1350YL-100

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Fabricant

Maxim Integrated

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille de la mémoire

4Mb (512K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

100ns

Temps d'accès

100ns

Tension - Alimentation

4.5V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

34-LPM

Package de périphérique fournisseur

34-LPM

AT29BV040A-20TU

Microchip Technology

Fabricant

Microchip Technology

Série

-

Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

FLASH

Technologie

FLASH

Taille de la mémoire

4Mb (512K x 8)

Interface mémoire

Parallel

Fréquence d'horloge

-

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

20ms

Temps d'accès

200ns

Tension - Alimentation

2.7V ~ 3.6V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Package de périphérique fournisseur

32-TSOP

CAT24C512C8UTR

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Type de mémoire

Non-Volatile

Format de la mémoire

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Technologie

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Taille de la mémoire

512Kb (64K x 8)

Interface mémoire

I²C

Fréquence d'horloge

1MHz

Temps de cycle d'écriture - Mot, page

5ms

Temps d'accès

400ns

Tension - Alimentation

1.8V ~ 5.5V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

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Package de périphérique fournisseur

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