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NDS9407

NDS9407

Pour référence seulement

Numéro de pièce NDS9407
N ° de pièce PNEDA NDS9407
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 51 696
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Livraison estimée janv. 28 - févr. 2 (Choisissez la livraison accélérée)
Garantie Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

NDS9407 Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleNDS9407
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
NDS9407, NDS9407 Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 338,15 KB)
PDFNDS9407 Fiche technique Couverture
NDS9407 Fiche technique Page 2 NDS9407 Fiche technique Page 3 NDS9407 Fiche technique Page 4 NDS9407 Fiche technique Page 5

NDS9407 Spécifications

FabricantON Semiconductor
SériePowerTrench®
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)60V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C3A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds732pF @ 30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

  • Réactivité rapide

    Notre équipe répond rapidement à vos demandes et se met immédiatement au travail pour trouver vos pièces.

  • Qualité garantie

    Nos processus de contrôle de qualité protègent contre les contrefaçons tout en garantissant fiabilité et performance.

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.3A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 350µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

83W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

PG-TO220-3-1

Paquet / Caisse

TO-220-3

DMN2022UFDF-13

Diodes Incorporated

Fabricant

Diodes Incorporated

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

7.9A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

907pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

660mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

U-DFN2020-6 (Type F)

Paquet / Caisse

6-UDFN Exposed Pad

AUIRFN8405TR

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

40V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

95A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5142pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.3W (Ta), 136W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PQFN (5x6)

Paquet / Caisse

8-PowerTDFN

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Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Paquet / Caisse

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Série

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

55V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

3.1A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 5V

Vgs (maximum)

±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

SOT-223

Paquet / Caisse

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