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NRVBS3200T3G

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Numéro de pièce NRVBS3200T3G
N ° de pièce PNEDA NRVBS3200T3G
Description DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB
Fabricant ON Semiconductor
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En stock 6 390
Entrepôts Shipped from Hong Kong SAR
Livraison estimée juin 29 - juil. 4 (Choisissez la livraison accélérée)
Guarantee Jusqu'à 1 an [PNEDA-Warranty] *

NRVBS3200T3G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleNRVBS3200T3G
CatégorieSemi-conducteursDiodes et redresseursRedresseurs - Simple
Fiche technique
NRVBS3200T3G, NRVBS3200T3G Fiche technique (Nombre total de pages: 5, Taille: 245,58 KB)
PDFNRVBS3200T3G Fiche technique Couverture
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NRVBS3200T3G Spécifications

FabricantON Semiconductor
SérieAutomotive, AEC-Q101
Type de diodeSchottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)200V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si840mV @ 3A
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inverse @ Vr1mA @ 200V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / CaisseDO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseurSMB
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C

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Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

-

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

800V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

500mA

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.3V @ 500mA

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

500ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

5µA @ 800V

Capacité @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-219AB

Package de périphérique fournisseur

Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

LS101C-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

Automotive, AEC-Q101

Type de diode

Schottky

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

40V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

30mA

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

900mV @ 15mA

Vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

200nA @ 30V

Capacité @ Vr, F

2.2pF @ 0V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

SOD-80 Variant

Package de périphérique fournisseur

SOD-80 QuadroMELF

Température de fonctionnement - Jonction

125°C (Max)

1N6658

Microsemi

Fabricant

Microsemi Corporation

Série

*

Type de diode

-

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

-

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

-

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

-

Vitesse

-

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

-

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

-

Paquet / Caisse

-

Package de périphérique fournisseur

-

Température de fonctionnement - Jonction

-

VS-71HFR40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

-

Type de diode

Standard, Reverse Polarity

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

400V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

70A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.35V @ 220A

Vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

-

Courant - Fuite inverse @ Vr

15mA @ 400V

Capacité @ Vr, F

-

Type de montage

Chassis, Stud Mount

Paquet / Caisse

DO-203AB, DO-5, Stud

Package de périphérique fournisseur

DO-203AB

Température de fonctionnement - Jonction

-65°C ~ 150°C

RS1PJHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série

eSMP®

Type de diode

Standard

Tension - Inversion CC (Vr) (Max)

600V

Courant - Moyenne rectifiée (Io)

1A

Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si

1.3V @ 1A

Vitesse

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr)

250ns

Courant - Fuite inverse @ Vr

1µA @ 600V

Capacité @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Type de montage

Surface Mount

Paquet / Caisse

DO-220AA

Package de périphérique fournisseur

DO-220AA (SMP)

Température de fonctionnement - Jonction

-55°C ~ 150°C

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