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NTD78N03-35G

NTD78N03-35G

Pour référence seulement

Numéro de pièce NTD78N03-35G
N ° de pièce PNEDA NTD78N03-35G
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 7 866
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NTD78N03-35G Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleNTD78N03-35G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
NTD78N03-35G, NTD78N03-35G Fiche technique (Nombre total de pages: 7, Taille: 81,78 KB)
PDFNTD78N03T4G Fiche technique Couverture
NTD78N03T4G Fiche technique Page 2 NTD78N03T4G Fiche technique Page 3 NTD78N03T4G Fiche technique Page 4 NTD78N03T4G Fiche technique Page 5 NTD78N03T4G Fiche technique Page 6 NTD78N03T4G Fiche technique Page 7

NTD78N03-35G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)25V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C11.4A (Ta), 78A (Tc)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 78A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 12V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.4W (Ta), 64W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurI-PAK
Paquet / CaisseTO-251-3 Stub Leads, IPak

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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Fabricant

Infineon Technologies

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

650V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

14A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 300µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1199pF @ 400V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

76W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PG-TO252-3

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPU60R3K4CEAKMA1

Infineon Technologies

Fabricant

Infineon Technologies

Série

*

Type FET

-

Technologie

-

Tension de vidange vers la source (Vdss)

-

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

-

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (maximum)

-

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

-

Température de fonctionnement

-

Type de montage

-

Package de périphérique fournisseur

-

Paquet / Caisse

-

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Fabricant

Sanken

Série

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

100V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

41A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

88.8nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6420pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

42W (Tc)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

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Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

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4mOhm @ 20A, 10V

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