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NTF2955T1G

NTF2955T1G NTF2955T1G

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Numéro de pièce NTF2955T1G
N ° de pièce PNEDA NTF2955T1G
Description MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Fabricant ON Semiconductor
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NTF2955T1G Ressources

Marque ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Fab. Numéro d'articleNTF2955T1G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
NTF2955T1G, NTF2955T1G Fiche technique (Nombre total de pages: 7, Taille: 125,73 KB)
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  • NTF2955T1G Distributor

NTF2955T1G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)60V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C1.7A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs14.3nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds492pF @ 25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-223
Paquet / CaisseTO-261-4, TO-261AA

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Fabricant

ON Semiconductor

Série

-

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

6-CPH

Paquet / Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IXTQ26N60P

IXYS

Fabricant

IXYS

Série

PolarHV™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

26A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

460W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-3P

Paquet / Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

MCU06N40-TP

Micro Commercial Co

Fabricant

Micro Commercial Co

Série

-

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

400V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

6A

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

462pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

45W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

D-Pak

Paquet / Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI3473DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

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Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

12V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Vgs (maximum)

±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1975pF @ 6V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.6W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

6-TSOP

Paquet / Caisse

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Fabricant

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Série

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Type FET

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Tension de vidange vers la source (Vdss)

250V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

260mA (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs (maximum)

±40V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

81pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

600mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

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