NTF2955T1G
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| Numéro de pièce | NTF2955T1G |
| N ° de pièce PNEDA | NTF2955T1G |
| Description | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 |
| Fabricant | ON Semiconductor |
| Prix unitaire | Demander un devis |
| En stock | 177 480 |
| Entrepôts | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTF2955T1G Ressources
| Marque | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Fab. Numéro d'article | NTF2955T1G |
| Catégorie | Semi-conducteurs › Transistors › Transistors - FET, MOSFET - Simple |
| Fiche technique |
NTF2955T1G, NTF2955T1G Fiche technique
(Nombre total de pages: 7, Taille: 125,73 KB)
  
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NTF2955T1G Spécifications
| Fabricant | ON Semiconductor |
| Série | - |
| Type FET | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de vidange vers la source (Vdss) | 60V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 492pF @ 25V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-223 |
| Paquet / Caisse | TO-261-4, TO-261AA |
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