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NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Pour référence seulement

Numéro de pièce NTMS5835NLR2G
N ° de pièce PNEDA NTMS5835NLR2G
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Prix unitaire
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
En stock 3 168
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NTMS5835NLR2G Ressources

Marque ON Semiconductor
Fab. Numéro d'articleNTMS5835NLR2G
CatégorieSemi-conducteursTransistorsTransistors - FET, MOSFET - Simple
Fiche technique
NTMS5835NLR2G, NTMS5835NLR2G Fiche technique (Nombre total de pages: 6, Taille: 109,87 KB)
PDFNTMS5835NLR2G Fiche technique Couverture
NTMS5835NLR2G Fiche technique Page 2 NTMS5835NLR2G Fiche technique Page 3 NTMS5835NLR2G Fiche technique Page 4 NTMS5835NLR2G Fiche technique Page 5 NTMS5835NLR2G Fiche technique Page 6

NTMS5835NLR2G Spécifications

FabricantON Semiconductor
Série-
Type FETN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange vers la source (Vdss)40V
Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C9.2A (Ta)
Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2115pF @ 20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Chez PNEDA, nous nous efforçons d'être le leader de l'industrie en fournissant rapidement et de manière fiable des composants électroniques de haute qualité à nos clients.

Notre approche est construite autour de prouver à nos clients trois avantages clés:

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    Notre réseau mondial de ressources fiables nous permet de trouver et de livrer les pièces spécifiques dont vous avez besoin.

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Fabricant

ON Semiconductor

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Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

60V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

15.7A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 7.85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-220F

Paquet / Caisse

TO-220-3 Full Pack

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Vishay Siliconix

Fabricant

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

30V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (maximum)

±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paquet / Caisse

PowerPAK® SC-70-6

FDZ201N

ON Semiconductor

Fabricant

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

9A (Ta)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (maximum)

±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1127pF @ 10V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Package de périphérique fournisseur

12-BGA (2x2.5)

Paquet / Caisse

12-WFBGA

IXFH60N60X

IXYS

Fabricant

IXYS

Série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

600V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

890W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247

Paquet / Caisse

TO-247-3

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Fabricant

IXYS

Série

TrenchP™

Type FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange vers la source (Vdss)

150V

Courant - Vidange continue (Id) à 25 ° C

44A (Tc)

Tension du variateur (Rds max activés, Rds min activés)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (maximum)

±15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13400pF @ 25V

Fonction FET

-

Dissipation de puissance (max)

298W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Package de périphérique fournisseur

TO-247 (IXTH)

Paquet / Caisse

TO-247-3

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